Neue 20 V-/30 V-MOSFETs – minimaler Platzbedarf, maximale Flexibilität

Infineon hat seine Produktfamilie von Kleinsignal-MOSFETs für niedrige Spannungen erweitert und bringt zusammen mit den neuen 20 V N- und P-Kanal-Bausteinen für 2,5 V sowie den 30 V N- und P-Kanal-Bausteinen für 4,5 V die ersten 20 V N-Kanal-MOSFETs für 1,8 Volt auf den Markt. Dank der niedrigen Schwellenwertspannung und des geringen R _DS(on) eignen sich diese Bausteine besonders für batteriebetriebene elektronische Geräte (tragbare Geräte, Handhelds), bei denen nicht nur die Versorgungsspannung gering ist, sondern auch der Stromverbrauch eine wichtige Rolle spielt. Außerdem sind die kleinen Gehäuse ideal für die beengten Platzverhältnisse bei diesen Anwendungen geeignet.